一、定義與重要性

電子晶片厚度測(cè)定儀是用于精確測(cè)量半導(dǎo)體晶圓、硅片等電子制造用晶片厚度的精密測(cè)量設(shè)備。在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，晶片厚度是影響芯片性能、可靠性及生產(chǎn)效率的關(guān)鍵參數(shù)之一。精確的厚度測(cè)量對(duì)于確保產(chǎn)品質(zhì)量、優(yōu)化制造工藝、提高成品率具有重要意義。

二、工作原理

機(jī)械接觸式電子晶片TCK-02 測(cè)厚儀基于物理接觸測(cè)量原理，其核心工作原理如下：

核心構(gòu)成：主要由測(cè)量頭（機(jī)械觸針或面接觸式探頭）、位移傳感器、壓力控制系統(tǒng)、數(shù)據(jù)處理單元等關(guān)鍵部件構(gòu)成。

測(cè)量過(guò)程：

測(cè)量頭在壓力控制系統(tǒng)作用下，以恒定且精準(zhǔn)控制的壓力與被測(cè)晶片表面實(shí)現(xiàn)緊密接觸

晶片表面在壓力作用下產(chǎn)生微小形變

位移傳感器實(shí)時(shí)捕捉測(cè)量頭的位移變化，并將其轉(zhuǎn)化為電信號(hào)

信號(hào)處理單元對(duì)接收的電信號(hào)進(jìn)行放大、濾波、數(shù)字化處理

數(shù)據(jù)處理單元根據(jù)預(yù)設(shè)算法和校準(zhǔn)參數(shù)，將位移量與已知壓力、接觸面積等參數(shù)結(jié)合，通過(guò)精確的數(shù)學(xué)模型計(jì)算出晶片厚度

三、測(cè)定方法

1、操作步驟

準(zhǔn)備階段

試樣處理：截取代表性晶片，清潔表面

設(shè)備校準(zhǔn)：使用標(biāo)準(zhǔn)量塊或已知厚度的晶片校準(zhǔn)儀器

參數(shù)設(shè)置：根據(jù)晶片特性選擇合適壓力（如17.5±1 kPa）、接觸面積等參數(shù)

2、測(cè)試階段

放置試樣：將晶片置于測(cè)量頭下方，確保表面與測(cè)量頭平行

啟動(dòng)測(cè)量：選擇手動(dòng)或自動(dòng)模式，測(cè)量頭降落并施加恒定壓力

重復(fù)測(cè)量：多次測(cè)量取平均值（建議3-5次）以提高精度

3、數(shù)據(jù)處理

結(jié)果統(tǒng)計(jì)：自動(dòng)計(jì)算最大值、最小值、平均值

輸出分析：通過(guò)打印機(jī)或電腦軟件導(dǎo)出數(shù)據(jù)，分析厚度分布

4、詳細(xì)測(cè)量流程

測(cè)量頭接觸：將平整的晶片放置在測(cè)量臺(tái)上，啟動(dòng)測(cè)厚儀，測(cè)量頭以穩(wěn)定速度下降與晶片表面接觸

壓力與形變：壓力控制系統(tǒng)提供恒定壓力（通常17.5±1 kPa），使測(cè)量頭與晶片表面保持緊密貼合，晶片表面發(fā)生微小形變

位移測(cè)量：位移傳感器（如電感式、電容式、電阻應(yīng)變式）捕捉測(cè)量頭的位移變化

厚度計(jì)算：數(shù)據(jù)處理單元將位移量轉(zhuǎn)換為厚度值，顯示在儀器屏幕上

四、濟(jì)南中科電子TCK-02測(cè)厚儀核心優(yōu)勢(shì)

1、高精度與穩(wěn)定性：探頭直接接觸測(cè)量，避免環(huán)境光、表面反射率干擾，適用于金屬、塑料等材料；

2、強(qiáng)環(huán)境適應(yīng)性：機(jī)械結(jié)構(gòu)堅(jiān)固，可適應(yīng)高溫、粉塵等工業(yè)環(huán)境，部分型號(hào)配備防護(hù)設(shè)計(jì)；

3、智能操作：工業(yè)級(jí)觸摸屏支持多級(jí)權(quán)限管理，數(shù)據(jù)自動(dòng)存儲(chǔ)、打印，歷史記錄一鍵追溯；

4、廣泛適用性：量程覆蓋0~12 mm，滿足光伏硅片（150~200 μm）、半導(dǎo)體晶圓（偏差<±1 μm）等場(chǎng)景需求。

總結(jié)：

濟(jì)南中科電子的機(jī)械接觸式測(cè)厚儀廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、電子封裝等領(lǐng)域，助力企業(yè)實(shí)現(xiàn)晶片厚度的精準(zhǔn)控制。如需了解更多測(cè)厚技術(shù)細(xì)節(jié)或設(shè)備選型建議，歡迎關(guān)注官方平臺(tái)獲取專業(yè)支持。